臺(tái)積電7nm停供中國(guó)大陸
最新消息,臺(tái)積電已向其在中國(guó)大陸的所有 AI 及 GPU 客戶發(fā)送了正式通知,宣布自 11 月 11 日,也就是下周起,暫停供應(yīng)所有 7納米(nm)及更先進(jìn)工藝的芯片。
消息稱(chēng),臺(tái)積電會(huì)對(duì)晶體管數(shù)量大于 300 億晶體管的芯片進(jìn)行限制;同時(shí),也會(huì)對(duì) 7nm 以下先進(jìn)工藝、與 AI、HBM 和 CoWOS 封裝相關(guān)的芯片進(jìn)行限制。新規(guī)定甚至對(duì)芯片的 Die 面積做了嚴(yán)格指引。
臺(tái)積電停供,主要受中美競(jìng)爭(zhēng)和 “白手套” 事件影響。
從某種程度上說(shuō),這次全面封鎖先進(jìn)制程的決策,是對(duì)中國(guó)快速發(fā)展的 AI 產(chǎn)業(yè)一次精準(zhǔn)打擊,或?qū)е鹿⿷?yīng)鏈重組和成本增加。
特朗普曾在 2024 年 6 月 25 日接受采訪時(shí)表示,美國(guó)的全部芯片業(yè)務(wù)被臺(tái)灣 “搶奪”,且沒(méi)有得到任何好處,臺(tái)灣應(yīng)當(dāng)向美國(guó)支付“防務(wù)費(fèi)用”。 臺(tái)積電的股價(jià)也在隨后的 7 月 17 日應(yīng)聲跌超 2%。
如今特朗普勝選,臺(tái)積電這一決策似乎顯示了其下定決心投誠(chéng),并與美國(guó)商務(wù)部共同制定了一套嚴(yán)苛的審查制度,全面封鎖中國(guó)大陸的先進(jìn)制程產(chǎn)能。
7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要里程碑,標(biāo)志著晶體管尺寸越來(lái)越接近物理學(xué)的極限。
截至目前,不同廠商在實(shí)現(xiàn) 7nm 工藝時(shí)采用的技術(shù)路線存在顯著差異,特別是臺(tái)積電、三星和英特爾的 FinFET 器件結(jié)構(gòu)與英特爾的 DUV 光刻技術(shù)之間的比較。
臺(tái)積電的 7nm 工藝分為第一代 7nm 工藝(N7)、第二代 7nm 工藝(N7P)和7nm EUV(N7+)。其中,N7 和 N7P 使用的是 DUV 光刻技術(shù),而 N7+ 則采用了 4 層 EUV 光刻技術(shù)。臺(tái)積電的 7nm 工藝通過(guò)多重曝光技術(shù)和浸沒(méi)式光刻技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn) 7nm 節(jié)點(diǎn)。
三星的 7nm 工藝采用了更為先進(jìn)的 EUV 光刻技術(shù)。三星在多個(gè)疊層中采用了 EUV 光刻技術(shù),并且在初期階段僅用于選擇層。三星的 7nm EUV 工藝被認(rèn)為在性能和功耗方面更具優(yōu)勢(shì)。
英特爾的 FinFET 器件結(jié)構(gòu)與臺(tái)積電和三星的工藝有所不同。英特爾的 FinFET 技術(shù)在 7nm 節(jié)點(diǎn)上仍然在使用,但其工藝路線與臺(tái)積電和三星的 EUV 或 DUV 光刻技術(shù)有所不同。
不過(guò)值得慶幸的是,7nm 芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已取得顯著進(jìn)展。
華為 Mate 60 Pro 搭載的麒麟 9000S 處理器是一顆 7nm 工藝芯片,產(chǎn)地標(biāo)注為中國(guó)大陸。此外,中芯國(guó)際也在努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,其第二代 FinFET N+1 制程實(shí)質(zhì)是 7nm 制程的低功耗低成本版本。(本文信源:多家官媒/網(wǎng)媒)

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