IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載查看詳情>流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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MCU、IGBT、傳感器…種類繁多且復雜,國產(chǎn)汽車芯何處飆車?
在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的推動下,汽車產(chǎn)業(yè)正迎來翻天覆地的變革,新的賽道也意味著新的機會,越來越多的國產(chǎn)初創(chuàng)企業(yè)和上市公司紛紛開始加碼,布局汽車電子行業(yè),但面對復雜且種類繁多的汽車電子,國產(chǎn)廠商究竟該
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