Nvidia牽手臺(tái)積電、ASML,計(jì)算光刻快40倍
Nvidia近日針對(duì)芯片制造領(lǐng)域,投炸彈了。 推出了一個(gè)造福先進(jìn)芯片制造的突破性技術(shù)——NVIDIA cuLitho計(jì)算光刻庫。 利用Nvidia的H100 GPU芯片,可
Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET),管腳尺寸縮小60%
RDS(on)額外降低40%,功率密度提高58倍,適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用奈梅亨,2023年3月22日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用
Nvidia助力臺(tái)積電,計(jì)算光刻速度快40倍
我們知道,一顆芯片要制造出來真的不容易,從沙子到芯片,中間要使用幾百種設(shè)備,幾百種材料,經(jīng)過近5000道工序,最后才形成我們需要的芯片。 而在這個(gè)過程中,光刻是其中最復(fù)雜、最關(guān)鍵,也是成本最高的環(huán)節(jié),占了整個(gè)制造成本的三分之一左右
NVIDIA芯片光刻技術(shù)大飛躍:提速40倍
今晚(3月21日),NVIDIA春季GTC技術(shù)大會(huì)召開。作為NVIDIA炫技的主要舞臺(tái),新東西可謂眼花繚亂。 其中值得關(guān)注的一項(xiàng)是,NVIDIA宣布推出cuLitho軟件加速庫,可以將計(jì)算光刻的用時(shí)提速40倍
中國(guó)制造可以將芯片迅速打至白菜價(jià),如今固態(tài)硬盤以15元甩賣
美國(guó)為何遏制中國(guó)芯片,或許在固態(tài)硬盤方面能看出些端倪,早幾年SSD固態(tài)硬盤價(jià)格昂貴,120GB硬盤售價(jià)也要數(shù)百元,然而如今120GB硬盤已低至59元,在二手市場(chǎng)120GB固態(tài)硬盤更是以15元甩賣,由此可見中國(guó)芯片的威力
兩會(huì)解析:補(bǔ)齊半導(dǎo)體短板產(chǎn)業(yè),鼓勵(lì)民間資金參與
前言:隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和應(yīng)用,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的重要支撐,已經(jīng)成為全球經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)之一。而中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去幾年中得到了快速發(fā)展,但仍然存在一些短板需要加強(qiáng)發(fā)展。目前產(chǎn)業(yè)存在兩個(gè)
“根本搶不到貨”!IGBT緊缺何時(shí)結(jié)束
當(dāng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都在忙于去庫存時(shí),IGBT(絕緣閘極雙極性晶體管)幾乎成了唯一的例外。近期,多位市場(chǎng)人士反映,受此前需求和產(chǎn)能錯(cuò)配的影響,IGBT持續(xù)供不應(yīng)求,“根本搶不到貨”,部分廠商甚至將相關(guān)代工價(jià)格上調(diào)10%
氮化鎵技術(shù)快速發(fā)展,Power Integrations推出900V氮化鎵器件
近日,深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations宣布,推出針對(duì)汽車電子領(lǐng)域的900V氮化鎵(GaN)器件。Power Integrations公司介紹道,新IC
半導(dǎo)體行業(yè)如何助力“綠色低碳”目標(biāo)? ——專訪意法半導(dǎo)體可持續(xù)發(fā)展主管
碳達(dá)峰、碳中和已經(jīng)成為全球關(guān)注的話題。國(guó)務(wù)院日前發(fā)布的《擴(kuò)大內(nèi)需戰(zhàn)略規(guī)劃綱要(2022-2035年)》多處提到要“大力倡導(dǎo)綠色低碳消費(fèi),推進(jìn)制造業(yè)高端化、智能化、綠色化發(fā)展”。半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展是打造綠色低碳社會(huì)的重要?jiǎng)恿?/span>
是德科技成功驗(yàn)證星騁科技(ASTELLA)5G 毫米波O-RAN 小基站設(shè)計(jì)
· 通過模擬5G O-RAN的端到端網(wǎng)絡(luò),測(cè)試驗(yàn)證集成的毫米波小基站· 專業(yè)的O-RAN設(shè)計(jì)、仿真和測(cè)試能力助力新產(chǎn)品更快推向市場(chǎng)是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布,該公司的KORA( Key
安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)
全新1200 V器件提供領(lǐng)先市場(chǎng)的導(dǎo)通和開關(guān)性能2023 年 3 月 21日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
Qorvo 發(fā)布 TOLL封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
中國(guó) 北京,2023 年3 月21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? (納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù),其高性能具體表現(xiàn)在:750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗
應(yīng)用于電機(jī)控制、變頻等領(lǐng)域中的國(guó)產(chǎn)32位MCU
近期,針對(duì)電機(jī)控制、變頻等應(yīng)用市場(chǎng),由工采網(wǎng)代理的愛普特發(fā)布了一款全國(guó)產(chǎn)、高可靠32位MCU—APT32F171;其具備高可靠性、高集成、低功耗、易開發(fā)和價(jià)格優(yōu)惠等優(yōu)勢(shì);為家電設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、逆變等市場(chǎng)領(lǐng)域提供了優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)芯選擇
Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP
該系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應(yīng)用提供結(jié)構(gòu)緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案。Transphorm將在APEC2023會(huì)議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。加
富士康走了?工業(yè)富聯(lián)漲了 | 年報(bào)季
作者:丁一 出品:全球財(cái)說 3月14日晚間,富士康工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)股份有限公司(601138. SH,以下簡(jiǎn)稱“工業(yè)富聯(lián)”)發(fā)布2022年年度業(yè)績(jī)報(bào)告。 縱觀近
半導(dǎo)體專題系列②:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的五大預(yù)判
釋放數(shù)據(jù)要素價(jià)值!這場(chǎng)會(huì)帶您把握數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展新態(tài)勢(shì) 半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)支柱性行業(yè)之一。半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),是培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)信息化和工業(yè)化深度融合的核心與基礎(chǔ),戰(zhàn)略地位日益凸顯
中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)要發(fā)展,大家首先別自嗨,別自欺欺人
如果經(jīng)?淳W(wǎng)絡(luò)新聞的人,就會(huì)清楚,這幾年雖然美國(guó)不斷的打壓我們,但我們其實(shí)也是不斷突破,各種好消息不斷傳出。 比如EDA支持3nm了,封測(cè)達(dá)到3nm了,實(shí)現(xiàn)了4nm的Chiplet技術(shù),又是量子芯片
中國(guó)市場(chǎng)不買芯片,三星、SK海力士庫存超500億美元,虧慘了
不得不說,目前 幾大存儲(chǔ)芯片廠商太難受了。 因?yàn)槭袌?chǎng)低迷,手機(jī)、PC、服務(wù)器等銷量狀況不佳,再加上中國(guó)這個(gè)全球最大的需求市場(chǎng),充滿不確定性,購買量下滑嚴(yán)重,導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片量?jī)r(jià)齊跌。 從價(jià)格來看,目前不管是NAND、還是DRAM,價(jià)格已經(jīng)跌至15年來的新低,創(chuàng)2008年以來的新紀(jì)錄
中欣晶圓產(chǎn)能仍在爬坡,虧損超10億元,關(guān)聯(lián)交易頻繁
文:權(quán)衡財(cái)經(jīng)iqhcj研究員 李力 編:許輝 3月14日國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭中微公司公告,范曉寧、黃慶、杜志游因個(gè)人原因,申請(qǐng)辭去公司董事職務(wù)。辭職后,范曉寧、黃慶不再擔(dān)任公司的任何職務(wù);杜志游仍為公司副總經(jīng)理、核心技術(shù)人員
2023年半導(dǎo)體行業(yè)研究報(bào)告
第一章 行業(yè)概況 半導(dǎo)體是一種電子材料,可以控制電流的流動(dòng)。半導(dǎo)體材料的特性是在它們的禁帶寬度內(nèi),只有一部分電子能夠被激發(fā)而具有導(dǎo)電性,這使得半導(dǎo)體成為電子學(xué)和計(jì)算機(jī)科學(xué)中最重要的材料之一。 半導(dǎo)體行業(yè)是指研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司和組織
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