LED的壽命以及節(jié)能、價(jià)格問題一直是大家熱心討論的話題，LED技術(shù)上尚有許多沒有攻克的難題。而在LED電路設(shè)計(jì)中電路保護(hù)的問題顯得十分重要，本文探討了3種LED電路的保護(hù)方法。
電子工程 | 2013-03-11 09:57 評(píng)論高功率半導(dǎo)體激光器可用來(lái)泵浦固體/光纖激光器，也可直接用于材料處理如焊接，切割，表面處理等。半導(dǎo)體泵浦的固體/光纖激光器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、軍事、醫(yī)療等。
激光 | 2013-03-06 10:09 評(píng)論現(xiàn)今由企業(yè)服務(wù)器和儲(chǔ)存應(yīng)用構(gòu)成的資料中心，電纜集成、功率和熱管理是固有的挑戰(zhàn)。資料中心不斷增加的頻寬需求促使銅纜傳輸速率也須持續(xù)增加，而25Gbit/s通道的推出改變游戲規(guī)則。相較于傳統(tǒng)的銅纜，在原型構(gòu)建階段實(shí)現(xiàn)的高速25Gbit/s銅纜產(chǎn)品，現(xiàn)能提供更高的頻寬選擇，就成本而言，其比光纖連接更低。
光通訊 | 2013-03-06 00:30 評(píng)論近幾年大數(shù)據(jù)一詞的持續(xù)升溫也帶來(lái)了大數(shù)據(jù)泡沫的疑慮，大數(shù)據(jù)的前景與目前云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等是分不開的，下面就來(lái)了解一下大數(shù)據(jù)與這些熱點(diǎn)的關(guān)系...
電子工程 | 2013-03-05 10:08 評(píng)論根據(jù)相干合成的原理，建立了三路矩形光束相干合成的數(shù)學(xué)仿真模型，根據(jù)數(shù)學(xué)模型編寫了仿真程序；模擬計(jì)算了1～21階澤尼克像差下，單路矩形光束和三路矩形拼接光束的波像差與光束質(zhì)量β因子關(guān)系的擬合系數(shù)；建立了波像差與β因子關(guān)系的計(jì)算表達(dá)式。
光學(xué) | 2013-03-04 11:38 評(píng)論在主振蕩功率放大器結(jié)構(gòu)的光纖激光相干合成系統(tǒng)中，模擬了隨機(jī)并行梯度下降(SPGD)算法校正七路激光陣列間時(shí)變傾斜相差的動(dòng)態(tài)過(guò)程，分析了不同傾斜相差幅值和頻率對(duì)校正能力的影響。
激光 | 2013-03-04 11:23 評(píng)論太陽(yáng)能的開發(fā)利用，世界各國(guó)政府、企業(yè)都已經(jīng)投入了大量的人力、物力予與研究開發(fā)，幾十年過(guò)去了，雖然在光電轉(zhuǎn)換效率等方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但是大規(guī)模的工業(yè)化利用太陽(yáng)能卻始終沒有走出“實(shí)驗(yàn)研究階段”。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-03-02 09:41 評(píng)論從接觸MCS-51單片機(jī)開始，我們就知道有一個(gè)叫KEIL的軟件。在開發(fā)單片機(jī)時(shí)，使用的是C語(yǔ)言或者匯編語(yǔ)言，我們知道，這兩種語(yǔ)言都不能直接 灌到單片機(jī)里面，執(zhí)不執(zhí)行暫且不說(shuō)，光是代碼的體積，就足以撐破整個(gè)單片機(jī)。
電子工程 | 2013-03-01 15:02 評(píng)論有源器件、無(wú)源器件的“源”指“驅(qū)動(dòng)源”或者說(shuō)是“策動(dòng)源”，只是這個(gè)“源”對(duì)電子器件而言往往來(lái)自“電源”所以會(huì)有誤用。
電源 | 2013-02-28 17:02 評(píng)論有源器件、無(wú)源器件的“源”指“驅(qū)動(dòng)源”或者說(shuō)是“策動(dòng)源”，只是這個(gè)“源”對(duì)電子器件而言往往來(lái)自“電源”所以會(huì)有誤用。
電子工程 | 2013-02-28 17:02 評(píng)論多晶硅：polycrystalline silicon。是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列形成許多晶核，這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，這些晶粒結(jié)合起來(lái)就形成了多晶硅。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-27 16:06 評(píng)論光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)清潔生產(chǎn)的要求非常苛刻。太陽(yáng)能級(jí)的硅片雖然純凈度不需要達(dá)到電子級(jí)，但是6個(gè)9的純度也還是很高的。在切片等過(guò)程中，硅片或多或少會(huì)接觸到各種污染源，因此清洗顯得至關(guān)重要。等離子清洗是經(jīng)常用到的一種方法。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-23 09:08 評(píng)論在太陽(yáng)能光伏電池的制造過(guò)程中，制絨是一道非常重要的工序。如果制絨不好，將直接導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的光反射率大幅增加，從而降低光電轉(zhuǎn)化效率。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-23 09:02 評(píng)論1976卡爾松和路昂斯基報(bào)告了無(wú)定形硅（簡(jiǎn)稱a-Si）薄膜太陽(yáng)電池的誕生。當(dāng)時(shí)，小面積樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為2．4人時(shí)隔二十多年，a-Si太陽(yáng)電池現(xiàn)在已發(fā)展成為最用廉價(jià)的太陽(yáng)電池品種之一。非晶硅科技已轉(zhuǎn)化為一支大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-22 10:38 評(píng)論鋰電池是指電化學(xué)體系中含有鋰(包括金屬鋰、鋰合金和鋰離子、鋰聚合物)的電池。鋰電池大致可分為兩類：鋰金屬電池和鋰離子電池。實(shí)際經(jīng)驗(yàn)證明：放電深度達(dá)到100%的鋰電池報(bào)廢率為50%(多年的事實(shí)證明放電深度達(dá)99%以上的鋰電用維修電源能激活的也只有半數(shù)，其余半數(shù)報(bào)廢！)
電子工程 | 2013-02-21 10:49 評(píng)論用于制造太陽(yáng)能電池的晶體硅主要是采用直拉法的單晶硅及采用鑄錠技術(shù)的多晶硅。但是，多晶硅鑄錠，投料量大、操作簡(jiǎn)單、工藝成本低，但電池轉(zhuǎn)換效率低、壽命短；而直拉單晶硅轉(zhuǎn)換效率高，但單次投料少，操作復(fù)雜，成本高。于是介于多晶硅和單晶硅之間的準(zhǔn)單晶成為研究的熱點(diǎn)。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-21 09:02 評(píng)論本發(fā)明涉及單晶硅錠及其制造方法。其底部側(cè)直胴部的特性與頂部側(cè)直胴部及中部側(cè)直胴部的特性相近似，高品位單晶硅的制品數(shù)率高，而且在直胴部整個(gè)長(zhǎng)度上的品質(zhì)大致均勻。并可按同一形狀反復(fù)制造，在每批制品間，底部的形狀沒有偏差。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-20 16:58 評(píng)論本發(fā)明涉及到單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對(duì)壓力傳感器的盒式結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有制造工藝簡(jiǎn)單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-20 08:37 評(píng)論本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過(guò)Cu淀積所檢測(cè)出的缺陷區(qū)域。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-19 11:47 評(píng)論單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。
太陽(yáng)能光伏 | 2013-02-19 07:31 評(píng)論
