DRAM
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而查看詳情>導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新內(nèi)存固態(tài)盤：近DRAM的性能，4TB容量
根據(jù)西部數(shù)據(jù)官方的消息，西數(shù)發(fā)布了新款Ultrastar® DC ME200 內(nèi)存擴(kuò)展固態(tài)盤，可優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)容量／性能，從而運(yùn)行對(duì)內(nèi)存有著高要求的應(yīng)用，滿足當(dāng)今實(shí)時(shí)分析和業(yè)務(wù)洞察的需求。
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中興事件再起，美國(guó)發(fā)布“晉華禁令”，這次遭殃的是存儲(chǔ)芯片DRAM
具體來(lái)說(shuō)，美國(guó)方面認(rèn)為福建晉華即將大規(guī)模生產(chǎn)的DRAM，其技術(shù)可能源于美國(guó)，且量產(chǎn)之后會(huì)威脅到美國(guó)軍用系統(tǒng)供應(yīng)商的長(zhǎng)期經(jīng)營(yíng)利益。
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