隨著臺積電和三星就3nm工藝量產(chǎn)展開競賽，3nm工藝也日益成為熱點，業(yè)界都期待中國芯片行業(yè)也能跟上全球腳步，日前有報道指出中國在3nm工藝上也趕上了腳步，顯示出在美國的壓力下，中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈在加速跟上全球芯片先進技術(shù)。

在芯片制造方面，中國在諸多環(huán)節(jié)方面都已取得進展，芯片制造的八大環(huán)節(jié)都已突進到14nm，其中刻蝕機更已進展到5nm，目前限制國產(chǎn)芯片制造的主要就是光刻機，如今正在努力推進國產(chǎn)28nm光刻機的量產(chǎn)。

雖然國產(chǎn)芯片仍然受制于光刻機，但是其他環(huán)節(jié)卻在積極各自突破，這次成功突破到3nm工藝的就是封測環(huán)節(jié)，據(jù)悉中國新興的封測企業(yè)利揚芯片已完成了3nm芯片的測試，這是中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈的又一個重大突破。

封測其實同樣是芯片生產(chǎn)過程中的一個重要環(huán)節(jié)，芯片制造廠生產(chǎn)出晶圓之后，需要封測廠將其中的成片挑選出來，將芯片內(nèi)部與外部電路連接起來，同時以外封裝保護晶片，如此芯片才能應(yīng)用于手機等各種產(chǎn)品中，因此封測也已發(fā)展成為芯片生產(chǎn)過程中一個龐大的產(chǎn)業(yè)。

在封測環(huán)節(jié)突進到3nm，對于國產(chǎn)芯片來說是又一個重要的突破，意味著國產(chǎn)芯片仍然在不斷創(chuàng)新，努力在現(xiàn)有的條件下繼續(xù)推進，這些環(huán)節(jié)準(zhǔn)備好，一旦光刻機方面得到解決，國產(chǎn)芯片就能迅速進步到7nm乃至更先進的工藝。

由于眾所周知的原因，國產(chǎn)芯片在獲取先進的EUV光刻機方面面臨困難，甚至近期美國方面?zhèn)鞒鱿�息指連成熟的DUV光刻機也要求ASML不要賣給中國芯片，可見美國方面為了限制中國芯片的發(fā)展可謂竭盡全力。

不過從上述情況可以看到，中國芯片并未因美國的做法而氣餒，仍然按照自己的腳步前進，力求在現(xiàn)有條件下創(chuàng)造條件前進，在力所能及的范圍內(nèi)取得新的技術(shù)突破，實現(xiàn)自力更生。

事實上這幾年在中國芯片的努力下，國產(chǎn)芯片自給率一直都在穩(wěn)步提升，特別是成熟工藝芯片自給率已得到大幅提升，目前國產(chǎn)芯片已達到日產(chǎn)10億顆的水平，隨著國產(chǎn)芯片的產(chǎn)能不斷上漲，已讓美國芯片感受到緊張，美國已有多種芯片出現(xiàn)供給過剩，甚至不得不大幅降價九成求售。

如今國產(chǎn)芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)進一步突進到3nm，意味著美國的做法反而促進了中國芯片生產(chǎn)的進步，只要中國芯片持之以恒，終有一天能實現(xiàn)芯片各個環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化，到那時候誰也無法阻止中國芯片，美國芯片正是憂慮這種前景，因此試圖不斷收緊各方面的限制，然而這注定是徒勞的。

值得注意的是美國一方面試圖限制其他經(jīng)濟體向中國出售先進芯片技術(shù)，另一方面它卻又不斷給它自家的芯片提供許可，這種做法也逐漸為其他經(jīng)濟體的芯片企業(yè)所詬病，畢竟市場就這么大，美國分走了更多市場也就損害了它們的利益，長久下去美國的這種聯(lián)盟終究會破滅。

       原文標(biāo)題 : 美國阻止不了中國芯片制造的進步，已成功突進到3nm環(huán)節(jié)