Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝
去年,三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過(guò)對(duì)芯片的分析,我們發(fā)現(xiàn)他們?cè)?825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒(méi)有區(qū)別。
現(xiàn)在,我們很高興地說(shuō),我們?cè)谄淦炫灝a(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料,這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。
憑借27nm的fin節(jié)距,這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin/3fin版圖可保持268nm的較小標(biāo)準(zhǔn)單元高度,同時(shí)擁有高驅(qū)動(dòng)電流。
與臺(tái)積電的7nm 3/3 7.5T 300nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度和 2/2 6T 240nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度相比,EUV光刻實(shí)現(xiàn)的密度確實(shí)更高。
英特爾的10納米制程具有相近的272nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度,但是采用了2/3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外,三星還以令人驚訝的實(shí)現(xiàn)方式推出了SDB,該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離,最初宣布SDB會(huì)在其6LPP工藝平臺(tái)中進(jìn)行部署。
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