Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝
去年，三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過(guò)對(duì)芯片的分析，我們發(fā)現(xiàn)他們?cè)?825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒(méi)有區(qū)別。
現(xiàn)在，我們很高興地說(shuō)，我們?cè)谄淦炫灝a(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料，這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。
憑借27nm的fin節(jié)距，這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin／3fin版圖可保持268nm的較小標(biāo)準(zhǔn)單元高度，同時(shí)擁有高驅(qū)動(dòng)電流。
與臺(tái)積電的7nm 3／3 7．5T 300nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度和 2／2 6T 240nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度相比，EUV光刻實(shí)現(xiàn)的密度確實(shí)更高。
英特爾的10納米制程具有相近的272nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度，但是采用了2／3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外，三星還以令人驚訝的實(shí)現(xiàn)方式推出了SDB，該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離，最初宣布SDB會(huì)在其6LPP工藝平臺(tái)中進(jìn)行部署。
分享
發(fā)表評(píng)論
請(qǐng)輸入評(píng)論內(nèi)容...
請(qǐng)輸入評(píng)論/評(píng)論長(zhǎng)度6~500個(gè)字
最新活動(dòng)更多
-
3月27日立即報(bào)名>> 【工程師系列】汽車電子技術(shù)在線大會(huì)
-
4月30日立即下載>> 【村田汽車】汽車E/E架構(gòu)革新中，新智能座艙挑戰(zhàn)的解決方案
-
限時(shí)免費(fèi)下載立即下載 >>> 2024“機(jī)器人+”行業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新發(fā)展藍(lán)皮書(shū)
-
即日-5.15立即報(bào)名>>> 【在線會(huì)議】安森美Hyperlux™ ID系列引領(lǐng)iToF技術(shù)革新
-
5月15日立即下載>> 【白皮書(shū)】精確和高效地表征3000V/20A功率器件應(yīng)用指南
-
5月16日立即參評(píng) >> 【評(píng)選啟動(dòng)】維科杯·OFweek 2025（第十屆）人工智能行業(yè)年度評(píng)選
